

碳化硅MOSFET
B2M
查看詳情
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺開發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。
??
上榜理由
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在品質(zhì)系數(shù)因子、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。同時,產(chǎn)品的封裝更為豐富,以更好滿足客戶需求,可廣泛應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)控制器、車載電源、光伏逆變器、光儲一體機(jī)、充電樁、UPS及PFC電源等領(lǐng)域。
今年基本半導(dǎo)體還將推出更大導(dǎo)通電流、更低導(dǎo)通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ 和2000V/24mΩ 碳化硅 MOSFET芯片系列產(chǎn)品,并開發(fā)了2000V/40A 碳化硅二極管芯片進(jìn)行配合使用。

小編
EEWORLD編輯


??
上榜理由
比亞迪半導(dǎo)體憑借多年的功率器件設(shè)計經(jīng)驗和集團(tuán)汽車級應(yīng)用平臺資源,率先進(jìn)軍SiC功率器件研發(fā)領(lǐng)域。經(jīng)過不懈努力,比亞迪半導(dǎo)體已成為國內(nèi)首批自主研發(fā)及實現(xiàn)SiC器件產(chǎn)業(yè)化的半導(dǎo)體公司。在SiC器件領(lǐng)域,公司于2020年取得重大技術(shù)突破,并已實現(xiàn)SiC模塊在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動控制器中的規(guī)?;瘧?yīng)用,也是全球首家、國內(nèi)唯一實現(xiàn)SiC三相全橋模塊在電機(jī)驅(qū)動控制器中大批量裝車的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商。目前在比亞迪漢、唐四驅(qū)等旗艦車型上已大批使用SiC模塊

小編
EEWORLD編輯

