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CGD和QORVO將徹底改變電機(jī)控制解決方案

發(fā)布者:EE小廣播最新更新時(shí)間:2024-11-12 來源: EEWORLD關(guān)鍵字:CGD  QORVO  電機(jī)控制  氮化鎵  功率器件 手機(jī)看文章 掃描二維碼
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評(píng)估套件具有 Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能


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2024年11月12日 英國(guó)劍橋- 無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD今日與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案提供商Qorvo? 合作推出 PAC5556A+ICeGaN?評(píng)估套件(EVK),將行業(yè)領(lǐng)先的電機(jī)控制和能效技術(shù)整合在一起。該EVK具有Qorvo的高性能無刷直流(BLDC)/永磁同步(PMSM)電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器和CGD易于使用的ICeGaN IC性能,顯著改善了電機(jī)控制應(yīng)用。


andrea BricConi | CGD首席營(yíng)銷官


“通過將我們兩家技術(shù)強(qiáng)大的公司的行業(yè)領(lǐng)先解決方案結(jié)合到這款EVK中,我們能夠開發(fā)出緊湊、節(jié)能、高功率密度的系統(tǒng)。與其他GaN器件不同,ICeGaN技術(shù)可以輕松地與Qorvo的PAC5556A電機(jī)控制IC實(shí)現(xiàn)無縫對(duì)接,在BLDC和PMSM應(yīng)用中提高性能?!?p>

JEff Strang | Qorvo功率管理事業(yè)部總經(jīng)理


“氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體因憑借其更高的功率密度和效率優(yōu)勢(shì)而被積極用于各種電機(jī)控制應(yīng)用中。CGD的 ICeGaN 產(chǎn)品提供了易用性和可靠性,這些是電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)師關(guān)心的兩個(gè)關(guān)鍵因素。當(dāng)我們的客戶在體驗(yàn)到CGD的ICeGaN與我們高度集成的PAC5556A 600V BLDC電機(jī)控制解決方案相結(jié)合的功率時(shí),他們反應(yīng)相當(dāng)熱烈?!?p> 

通過采用CGD最新一代P2 IC,配備240 m? ICeGaN的PAC5556AEVK2評(píng)估套件在沒有散熱器的情況下實(shí)現(xiàn)了高達(dá)400W的峰值性能,而配備55 m? ICeGaN的PAC 5556AEVK3在最小氣流冷卻的情況下達(dá)到了800W的峰值。ICeGaN的效率實(shí)現(xiàn)了降低功耗和提高了電源可用性,并最大限度地降低了溫度,從而實(shí)現(xiàn)了更小、更可靠的系統(tǒng)。由于ICeGaN集成了基本的電流感測(cè)和米勒箝位元件,因此簡(jiǎn)化了柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì),降低了BOM成本。這使得該解決方案易于實(shí)施、價(jià)格具有競(jìng)爭(zhēng)力、性能也更高。


PAC5556A+CGD GaN EVK在低速時(shí)提供更高的扭矩和精確的控制,使其成為白色家電、吊扇、冰箱、壓縮機(jī)和泵的理想選擇。其目標(biāo)市場(chǎng)包括工業(yè)和家庭自動(dòng)化,特別是在需要緊湊、高效電機(jī)控制系統(tǒng)的應(yīng)用中。PAC5556AEVK2和PAC5556AAVK3可在Qorvo官網(wǎng)采購(gòu)。CGD將在慕尼黑電子展的展臺(tái)展出以上產(chǎn)品,展位號(hào)為C3-539。

 

結(jié)語


關(guān)于 Cambridge GaN Devices


Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設(shè)計(jì)、開發(fā)與商業(yè)化,以實(shí)現(xiàn)能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過提供易于實(shí)現(xiàn)的高能效 GaN 解決方案,將創(chuàng)新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN? 技術(shù)經(jīng)證明適合大批量生產(chǎn),并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴(kuò)大規(guī)模。CGD 是一家無晶圓廠企業(yè),孵化自劍橋大學(xué)。公司首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學(xué)高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯(lián)系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術(shù)背后有不斷擴(kuò)充的強(qiáng)大知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合做支撐,這也是公司努力創(chuàng)新的結(jié)晶。CGD 團(tuán)隊(duì)在技術(shù)和商業(yè)方面的專業(yè)知識(shí)以及在功率電子器件市場(chǎng)上的大量突出表現(xiàn),為其專有技術(shù)在市場(chǎng)上的認(rèn)可程度奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

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