国产精品久久久久影院,成人午夜福利视频,国产精品久久久久高潮,国产精品 欧美 亚洲 制服,国产精品白浆无码流出

【GD32F303紅楓派開發(fā)板使用手冊】第二十講 SPI-SPI NAND FLASH讀寫實(shí)驗(yàn)

發(fā)布者：HeavenlyJoy444最新更新時間：2024-11-18 來源: elecfans關(guān)鍵字：GD32F303  NAND  FLASH  讀寫實(shí)驗(yàn) 手機(jī)看文章 掃描二維碼
隨時隨地手機(jī)看文章

while(1);

}


while(1){

/* turn off all leds */

bsp_led_toggle(&LED0);

/* turn off all leds */

bsp_led_toggle(&LED1);

delay_ms(200);

}

}


20.5實(shí)驗(yàn)結(jié)果

nand讀取到正確ID后開始擦寫讀流程，如果ID讀取錯誤或者數(shù)據(jù)比對不通過點(diǎn)亮LED0，熄滅LED1，如果比對通過則交替閃爍LED0和LED1，通過USB轉(zhuǎn)串口可以看到打印結(jié)果。

wKgaomZzim6ARlMMAAG4cbJ1vl0550.png

[1] [2]
關(guān)鍵字：GD32F303  NAND  FLASH  讀寫實(shí)驗(yàn) 引用地址：【GD32F303紅楓派開發(fā)板使用手冊】第二十講 SPI-SPI NAND FLASH讀寫實(shí)驗(yàn)

上一篇：GD32F303固件庫開發(fā)（13）----定時器TIM捕獲PWM測量頻率與占空比
下一篇：GD32330C-START開發(fā)板試用體驗(yàn)：GD32F330開發(fā)環(huán)境構(gòu)建

推薦閱讀最新更新時間：2025-07-14 01:47

【GD32F470紫藤派開發(fā)板使用手冊】第十一講 SPI-SPI NOR FLASH讀寫實(shí)驗(yàn)
11.1實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 通過本實(shí)驗(yàn)主要學(xué)習(xí)以下內(nèi)容： SPI簡介 GD32 F470 SPI簡介 SPI NOR FLASH——GD25Q32ESIGR簡介 使用GD32F470 SPI 接口 實(shí)現(xiàn)對GD25Q32ESIGR的讀寫操作 11.2實(shí)驗(yàn)原理 11.2.1SPI簡介 SPI（Serial Peripheral interface），顧名思義是串行外設(shè)接口，和 UART 不同的是，SPI是同步通訊接口，所以帶有 時鐘 線，而UART是異步通訊接口，不需要時鐘線。 SPI通常使用4根線，分別為SCK、MOSI、MISO、NSS（CS）： SCK：串列時脈，由主機(jī)發(fā)出 MOSI：主機(jī)輸出從機(jī)輸入 信號 （數(shù)據(jù)由主
[單片機(jī)]
【GD32F470紫藤<font color='red'>派</font><font color='red'>開發(fā)板</font>使用手冊】第十一講 <font color='red'>SPI-SPI</font> NOR <font color='red'>FLASH</font><font color='red'>讀寫</font><font color='red'>實(shí)驗(yàn)</font>
HI3531的nand flash測試
void NAND_Init() { *(unsigned int *)(0x20030000 + 0xd0) = 7; delay_x(0X5000); *(unsigned int *)(0x20030000 + 0xd0) = 6; delay_x(0X5000); *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x1fc) = 0;//muxctrl_reg127 NF_DQ0 管腳復(fù)用控制寄存器 *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x200) = 0; *(unsigned int *)(0x200f0000 + 0x204) = 0; *(unsigned int
[單片機(jī)]
S3c2440如何利用JLINK燒寫U-boot到NAND Flash中
很多同學(xué)使用筆記本作為自己的ARM開發(fā)和學(xué)習(xí)的平臺，絕大多數(shù)筆記本都沒有并口，也就是無法使用JTag調(diào)試和燒寫程序到Nand Flash中，幸好我們還有JLINK，用JLINK燒寫U-boot到Nor Flash中很簡單，大部分NOR Flash都已經(jīng)被JLink的軟件SEGGER所支持，而新手在學(xué)習(xí)的時候經(jīng)常會實(shí)驗(yàn)各種各樣的命令，最悲劇的莫過于將NAND Flash中原有的bootloader給刪除了，這時候開發(fā)板上電后由于沒有bootloader，硬件沒有被初始化，在NAND Flash中的操作系統(tǒng)也就無法被加載，開發(fā)板成“磚”了，這時候筆記本又無法利用JTag燒寫程序進(jìn)Nand Flash。起始這些可以利用JLink通過兩種
[單片機(jī)]
DRAM價格持續(xù)上漲，NAND Flash跌價壓力增加
根據(jù)CINNO Research從存儲器供應(yīng)鏈業(yè)者所掌握到的消息，除了DRAM供給端產(chǎn)出成長持續(xù)有限外，主要受惠于第二季智能型手機(jī)備貨需求開始增溫以及服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心建置持續(xù)暢旺，整體第二季DRAM需求位出貨將拜托第一季衰退的局面，將呈現(xiàn)季增5-10%，帶動DRAM價格持續(xù)往上，因此第二季DRAM價格較第一季微幅上漲3%；而DRAM供貨商的報(bào)價區(qū)間也持續(xù)收斂，顯示整體DRAM產(chǎn)業(yè)秩序穩(wěn)定，在不帶變動的市場占有率中追求利潤最大化成為大家有志一同的目標(biāo)。 DRAM: CINNO Research副總楊文得認(rèn)為，整年2018年服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的建置需求將從年初旺到年底，再加上Intel今年推出新款服務(wù)器處理器可望進(jìn)一步帶動服務(wù)器換機(jī)
[嵌入式]
集邦咨詢：NAND Flash第二季仍小幅供過于求，價格續(xù)跌
Apr. 12, 2018 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）表示，NAND Flash市場第一季已呈現(xiàn)供過于求，盡管第二季隨工作天數(shù)恢復(fù)后需求有所增長，但成長力道仍偏弱，預(yù)期NAND Flash將維持小幅供過于求態(tài)勢，價格方面也將持續(xù)走跌。 針對下半年NAND Flash市場走勢，DRAMeXchange指出，從需求面來看，下半年除了有旺季效應(yīng)之外，渠道市場隨著價格下修而出現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢，以及智能手機(jī)搭載容量持續(xù)提升等因素帶動，位元需求成長表現(xiàn)穩(wěn)健。 觀察供給面，DRAMeXchange指出，為應(yīng)對上半年的市場走勢，部分供貨商已減緩擴(kuò)產(chǎn)速度，下一個世代的9x層NAND Flash制程要至2019年起
[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]
利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)對嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新
引言 嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進(jìn)行升級和維護(hù)，以延長系統(tǒng)的使用周期，改善系統(tǒng)性能，增強(qiáng)系統(tǒng)適應(yīng)性。 傳統(tǒng)的嵌入式升級方式通常由維護(hù)人員到達(dá)設(shè)備現(xiàn)場進(jìn)行重新燒寫系統(tǒng)或者更換Flash存儲部件，當(dāng)設(shè)備數(shù)量龐大并且分布范圍廣泛時，這種升級維護(hù)方式的工作量將非常大，而且耗費(fèi)的時間長、成本高。隨著嵌入式技術(shù)的迅速發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程升級技術(shù)得到了快速發(fā)展。參考文獻(xiàn)提出了一種基于GPRS的嵌入式系統(tǒng)軟件的遠(yuǎn)程在線升級，通過GPRS網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)對ARM嵌入式終端的系統(tǒng)軟件進(jìn)行在線升級。這種方法的不足在于無法實(shí)
[單片機(jī)]
利用<font color='red'>NAND</font> <font color='red'>Flash</font>實(shí)現(xiàn)對嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新
NAND Flash供貨吃緊 英特爾將優(yōu)先供應(yīng)企業(yè)級SSD
根據(jù)科技網(wǎng)站 ZDNet 的報(bào)導(dǎo)指出，半導(dǎo)體龍頭英特爾（intel）正透過管道向合作伙伴發(fā)出通知，預(yù)計(jì) 2017 年全年 SSD 硬盤因?yàn)楣?yīng)吃緊，這也迫使得英特爾未來將優(yōu)先以供應(yīng)數(shù)據(jù)中心級 SSD 硬盤為主，而其搭低成本的消費(fèi)級 SSD 硬盤則暫時退到供貨的第二線上。 報(bào)導(dǎo)指出，日前英特爾向合作伙伴發(fā)出了一份 “英特爾 SSD 硬盤供應(yīng)健康資訊” 的備忘錄，其中說明 SSD 硬盤和 NAND Flash 快閃存儲器產(chǎn)業(yè)目前正處于市場的需求供貨吃緊的狀態(tài)。因此，預(yù)計(jì) 2017 年全年 SSD 硬盤供應(yīng)仍然十分競爭的情況下，將迫使英特爾專注于優(yōu)先生產(chǎn)并供應(yīng)數(shù)據(jù)中心級 SSD硬盤的需求。 此外，英特爾還在備忘錄中表示，目前公司正積極地
[半導(dǎo)體設(shè)計(jì)/制造]
小廣播
設(shè)計(jì)資源 培訓(xùn) 開發(fā)板 精華推薦

最新單片機(jī)文章

 
EEWorld訂閱號

 
EEWorld服務(wù)號

 
汽車開發(fā)圈

 
機(jī)器人開發(fā)圈

電子工程世界版權(quán)所有 京ICP證060456號 京ICP備10001474號-1 電信業(yè)務(wù)審批[2006]字第258號函 京公網(wǎng)安備 11010802033920號 Copyright ? 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved